今天给各位分享台积电5nm的知识，其中也会对台积电5nm密度进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在开始吧！
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台积电5nm技术论文频曝光,晶体管密度有望提至7nm的两倍
尽管台积电并未公开全部5nm技术细节，但通过近期在各类会议和期刊上发表的论文，我们能够对其技术进展有所了解。根据推测，5nm技术将在芯片中实现173MTr/mm的晶体管密度，相较于7nm节点的920MTr/mm，晶体管密度提升接近两倍。
苹果A14处理器，将会采用台积电的5nm全新封装工艺，能够集成125亿个晶体管，相比于A13在7nm EUV制程工艺上集成的85亿个晶体管，有着很大幅度提升。基于台积电5nm工艺制程的A14 芯片采用Cortex A72 核心，其相较于7nm(第一代DUV)能提供 8 倍的逻辑密度、速度增快15%，或者功耗降低30%。
众所周知，2019年联发科推出的天玑1000系列是基于台积电7nm工艺制造的，而天玑1200/1100则首发采用了台积电的6nm EUV工艺。 根据台积电的数据，相比7nm工艺来说，其6nm EUV工艺使得晶体管密度提升了18%，这也意味着其性能提升了约18%，或者在保持同样晶体管数量的情况下，核心的面积可以缩小18%，使得功耗和成本可以进一步降低。
Intel 4工艺的物理参数包括密度是Intel 7的两倍，继续使用钴。密度提高，晶体管尺寸减半，传统晶体管密度显著提升。Intel 4在工艺技术上取得重大进步，将首先用于即将推出的Meteor Lake客户端SoC，有望成为英特尔14代酷睿处理器的基础。
台积电如何保持7nm、5nm工艺的领先地位?
不仅如此，台积电并未止步于此，他们正积极研发5nm+以及更先进的3nm、2nm工艺。这与国内最先进的晶圆代工厂中芯国际相比，台积电的研发投入已超过其全年营收，工艺上保持着显著的两代差距。总的来说，正是对研发的持续大量投入，让台积电在全球晶圆代工市场的领先地位得以巩固。
不仅如此，台积电还在积极研发5nm+、3nm、2nm等后续工艺，不断拓展技术前沿。对比来看，国内最先进的晶圆代工厂中芯国际去年的营收仅为31亿美元，这表明在制程工艺上，台积电与中芯国际之间存在至少2代的代差，研发投入的巨大差距也可见一斑。
从7nm到7nm+，再到6nm和5nm，台积电不断迭代升级，保持技术领先。明年上半年，5nm工艺将实现量产，后续还有5nm+工艺，3nm工艺工厂的建设也在稳步推进，预计2022年投入生产。甚至，台积电已经着手研发2nm工艺，计划在2024年投入生产，展现出极高的研发速度和前瞻性。
全球领先的芯片制造厂商台积电，其在业界的卓越地位源自其先进的技术研发实力。在7nm工艺技术方面，台积电稳居业界首位，苹果A1高通骁龙85华为麒麟980等高端芯片皆由其一手打造。这不仅彰显了台积电在芯片制造领域的深厚底蕴，更预示着其在未来芯片技术领域中持续引领潮流的决心。
想要做出好的芯片，自然而然是得有最高级的设备，而台积电在这点方面绝对是完全具备的。
【小百科】台积电16nm-5nm工艺官方资料盘点
nm节点：即将量产的革新之作/台积电7nm工艺即将进入量产阶段，据官方数据，7nm相较于10nm，密度提升6倍，性能提升2倍，能耗比节省高达40%。7nm节点将包含一个移动处理器专用节点和一个高性能优化版本。值得注意的是，目前尚未提及是否采用EUV技术，性能数据未做细分。
而在5nm节点，台积电将采用极紫外（EUV）工艺，波长为15nm，这也是台积电首次应用此技术。相较于之前的7+nm工艺，5nm工艺在应用EUV技术上更为成熟，为实现更高性能提供了充分准备。在光刻工艺中，掩膜作为重要的工具，其数量与工艺节点的集成度直接相关。
nm FinFET+预计9月份将达到完整合格标准，迁移至该工艺的时间将大大缩短。台积电透露，首批16nm FinFET+芯片流片将于2014年完成，其余45个预计在2015年，对比台积电先前的16nm FinFET工艺，流片数量显著增加。
据台积电最新公布，5nm工艺的良率已达80%，预计苹果A14和华为麒麟1020处理器将有望首发。然而，这一局势可能被比特大陆打破，其新一代矿机芯片或将采用5nm工艺，并已完成封装，有可能成为首个5nm芯片，即使在测试阶段也可能“截胡”苹果和华为。
台积电的16nmFF+制程在实际产品中表现更佳。直接比较数字并不能准确反映制程的真实水平，因为这些数字本身并不精确。例如，三星的14nm工艺其实存在一些水分。实际使用中，台积电的16纳米FF+制程比三星的14纳米LPP制程更为出色，这一点在苹果A9处理器的不同代工版本对比中得到了验证。
台积电5nm实际物理尺寸
1、一是256Mb SRAM，单元面积包括25000平方纳米的高电流版本、21000平方纳米的高密度版本，后者号称是迄今最小的，总面积376平方毫米。二是综合了SRAM、CPU/GPU逻辑单元、IO单元的，面积占比分别为30%、60%、10%，总面积估计大约192平方毫米。
2、nm芯片真实间隔48nm。根据专业机构分析预测，台积电5nm的栅极间距为48nm，金属间距则是30nm，鳍片间距25-26nm，单元高度约为180nm，按照这个计算，台积电5nm的晶体管密度将是每平方毫米713亿个。
3、/12nm节点大飞跃/台积电的16/12nm节点在官方资料中强调，相较于20nm工艺，性能提升了50%，功耗节省高达60%，达到惊人的5倍性能提升或5倍能耗比。这个节点包括了神秘的16FF工艺，以及主流的16FF+/16FFC，以及为N卡定制的高性能12FFN和进一步优化的12FFC。